砷化鎵窗口片是一種常用的紅外材料，它的化學(xué)穩(wěn)定性好，硬度強，抗惡劣環(huán)境能力很強，它在2um-14um光譜范圍有很好的透過率，廣泛應(yīng)用于熱紅外成像系統(tǒng)，大功率CO2激光光學(xué)系統(tǒng)和FLIR系統(tǒng)。在外部環(huán)境很差條件下，光學(xué)鏡頭或者窗口需要反復(fù)擦拭的條件下，砷化鎵常被用來替代硒化鋅作為紅外鏡頭或者窗口片的紅外材料。

 

　　砷化鎵窗口片的優(yōu)點：

　　1、電子物理特性：砷化鎵擁有一些比硅還要好的電子特性，如高的飽和電子速率及高的電子遷移率，使得砷化鎵可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的砷化鎵和硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會擁有較少的噪聲。也因為砷化鎵有較高的擊穿電壓，所以砷化鎵比同樣的硅元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，砷化鎵電路可以運用在衛(wèi)星通訊、微波點對點連線、雷達系統(tǒng)等地方。砷化鎵曾用來做成Gunn diode以發(fā)射微波。現(xiàn)今RFCMOS雖可達到高操作頻率及高整合度，但其先天物理上缺點如低擊穿電壓、硅襯底高頻損耗、信號隔離度不佳、低輸出功率密度等，使其在功率放大器及射頻開關(guān)應(yīng)用上始終難以跟砷化鎵匹敵。

　　2、能隙：砷化鎵的的另一個優(yōu)點：它是直接能隙的材料，所以可以用來發(fā)光。而硅是間接能隙的材料，只能發(fā)射非常微弱的光。

　　3、切換速度：因為砷化鎵的切換速度很快，所以砷化鎵被認為是電腦應(yīng)用的理想材料。1980年代時，大家都認為微電子市場的主力將從硅換成砷化鎵。

　　4、抗天然輻射：砷化鎵比硅更不會受到自然輻射的干擾，不易產(chǎn)生錯誤信號。